نسل توسعه یافته فلش NAND و ارتقاء آن به MRAM
آی بی ام و سامسونگ اعلام کرد به منظور توسعه نسل بعدی RAM و استفاده از فن آوری STT موفقیت به دستیابی تراشه MRAM شده است که فرآیندی توسعه یافته و 100،000 برابر از فلش NAND که هرگز فرسوده نمی شود. فلش NAND یک میلی ثانیه زمان برای نوشتن اطلاعات به طور متوسط طول می کشد، این در حالی است که MRAM برابر با 10 نانو ثانیه زمان می برد، و در مقایسه با سایر فن آوری حافظه بسیار بادوام شناخته شده است.
همچنین ترسیم مغناطیس STT MRAM به 11 نانو ثانیه برای اولین بار با استفاده از 10 پالس نانو ثانیه یک دستاورد مهم در فرآیند دستگاه های تلفن همراه و سنسورهای شکبه برای ذخیره سازی داده ها مطرح شده است. لازم به ذکر است STT MRAM به زودی جایگزین DRAM خواهد شد، این امر سبب بالابردن برنامه های کاربردی در صنعت برق و کاهش مصرف برق می شود. این تکنولوژی حتی در اینترنت اشیاء و یا دستگاه های تلفن همراه با قدرت بسیار زیاد برای ذخیره سازی اطلاعات حتی در زمانی که فعال نیست استفاده می شود.آی بی ام با یک شریک قصد دارد برای بهینه سازی پارامترهای مهندسی MRAM برای تولید انبوه در زمینه مواد مغناطیسی، دستگاه، طراحی مدار در کمتر از سه سال را تسریع خواهد کرد.
برای دریافت جدید ترین اخبار فناوری اطلاعات به کانال تلگرام گروه پال نت بپیوندید.
Channel: @palnetgroup